细粉加工设备(20-400目)
我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。
超细粉加工设备(400-3250目)
LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。
粗粉加工设备(0-3MM)
兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。
多晶硅母合金掺杂原理
认识半导体XI——直拉法硅单晶的掺杂 知乎
2022年9月26日 — 所谓母合金是指掺杂剂与Si（或其他半导体材料）构成的二元合金，如PSi，BSi等。 需要注意的是，杂质在母合金及在熔体中的总数保持不变，即：(M合金/d合金)Cm = (W+M合金)C0/d，其中，Cm为杂质在母合金中的浓度，M合金为母合金的重量。在制备硅、锗单晶时，通常要加 入一定数量杂质元素（即掺杂）。加 入的杂质元素决定了被掺杂半导体的 导电类型、电阻率、少子寿命等电学 性能。掺杂元素的选择必须以掺杂过 硅晶体的掺杂 百度文库中子嬗变掺杂的主要特征是：杂质不是从外部掺进原材料中去，而是被掺材料本身的一部分原子在辐照过程中直接转变而来。 对硅材料而言，中子嬗变掺杂技术的基本原理简述如 直拉单晶硅的制备 掺杂 百度文库2012年8月29日 — 所谓“母合金”就是杂质元素与硅的合金，常用的母合金有硅磷和硅硼两种，杂质浓度是10的2次方和10的3次方。 采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确。母合金 产品介绍合能阳光（中国）公司
掺杂计算理论与实践 百度文库
采用“母合金”作为掺杂剂是为了使掺杂量容易控制、更准确 掺杂的目的主要是用来改变硅熔体中施主杂质（如磷）或受主杂质（如 硼）的杂质浓度，使其生长出的单晶电阻率达到 1989年8月1日 — 反应气体混合物中磷化氢与硅烷浓度的比率是 LPCVD多晶硅沉积中的工艺控制参数，不仅与层的掺杂水平和平面晶片表面上的层生长速率有关，而且与生长程度 LPCVD 多晶硅 (I) 的原位掺杂和沟槽填充。(PH3/SiH4) 比率 在1972年国际电子器件会议上,日本富士通公司发表了一种新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺,该工艺可应用于超高速集成电路和微波晶体管制作在电流型逻辑超高速集成电路 新的半导体制造技术——掺杂多晶硅工艺 百度学术2022年4月11日 — 温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果, 用XRD、RED 等技术测量分析了多晶硅膜的微 结构组成 结果表明,L PCVD 制备的多晶硅薄膜具有本征压应力, 其内应 多晶硅薄膜应力特性研究 JOS
多晶硅：制备、性质与应用的全面解析 知乎
2023年8月22日 — 多晶硅在半导体工艺中的掺杂、刻蚀和沉积等工序中都具有重要作用，为电子器件的制造提供了坚实基础。 太阳能电池制造： 作为太阳能电池的关键材料，多晶硅在光伏领域具有重要地位。掺杂原理介绍 知乎 2023年10月26日 掺杂原理介绍 Tom聊芯片智造 杂质的掺杂是芯片制造中十分重要的一步，几乎所有的集成电路，LED，功率器件等都需要用到掺杂。 那么为什么要掺杂？ 有哪 （1）元素掺杂 即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻 率102~103Ωcm的重掺杂硅单晶多晶硅母合金掺杂原理2021年6月18日 — 本发明涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种掺杂装置、母合金制备装置及方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。硅棒是光伏电池中的重要组成部分。目前在 一种掺杂装置、母合金制备装置及方法与流程2022年3月7日 — 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc
一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网
一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅的合金，主要有硼硅合金和磷硅合金。母合金的作用是对多晶硅料进行掺杂，从而改变硅中施主杂质(如磷)或 目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 2022年11月25日 — 本发明属于太阳能光伏材料技术领域，具体公开了一种掺磷硅母合金的制备方法。采用双温区水平炉，以磷化锌作为掺杂剂。在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，低温段装有石英坩埚，石英坩埚内放置磷化锌。CNA 掺磷硅母合金的制备方法 Google Patents摘要： 多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的好坏与多晶硅中杂质元素的含量分布密切关联冶金法制备的多晶硅材料往往同时含有不同浓度的受主 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 百度学术
直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻2021年12月24日 — 常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算：假设掺入方式是掺入中间合金，比方硅硼合金的电阻率为p 1,对应的杂质浓度CH,假设在硅中投入中间合金重 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc2012年8月1日 — 技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内。现有的拉晶常用补掺方法是用籽晶做一个凹形的“小伞”，把母合金放入“小伞”内掺入硅熔体中。现有掺杂方法由于是与 母合金掺杂及补掺装置的制作方法按掺杂剂的形式可分为元素掺杂和合金掺杂。 (1)元素掺杂 即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻率102~103Qcm的重掺 杂硅单晶。 (2)母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金(例如，硅锑合金、硅硼合金)，根 据母合金含的杂质量相应的加入母合金直拉单晶硅的制备掺杂讲课讲稿 百度文库
母合金的计算方法 道客巴巴
2013年1月21日 — 母合金计算公式应掺母合金重量为M=W*C头/ K* C母—C头 其中 K———为掺杂剂原素在硅中的平衡分凝系数W——–为多晶硅原料的重量C头—为头部对应的的杂质浓度C母—–为母合金的杂质浓度M——–为应掺母合金重量掺杂的几个重要参数 单晶的型号 N还是P 拉制硅单晶的目标电阻率 以P型为例 太阳能 导电类型和头部电阻率ρ，并由ρN图找出对应的载流子 浓度即单晶中的杂质浓度Cs。此CS是多晶硅 • 试拉单晶重×单晶头部杂质浓度=掺杂母合金量×母合 金浓度×K(杂质的分凝系数) • 单晶头部浓度由ρ—N 半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质百度文库2017年12月1日 — 对多晶硅的原硅料和回收料使用PN测试仪和电阻率进行分档分类，直到达到配比质量，最后计算出需要的掺杂剂质量。 硅料的种类大致有多晶原硅料、多晶碳头硅料、多晶硅锭回收的硅料、单晶棒或单晶头、尾料、单晶锅底料、单晶碎硅片、其他半导体工业 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇 索比光伏网杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
母合金掺杂计算 豆丁网
2013年3月24日 — 一种铝硼母合金掺杂制备多晶硅靶材的铸造工艺 热度: 页数:4 La掺杂Mg合金力学性能第一性原理计算 精灵论文 热度: 页数:5 稀土掺杂TarkallC合金多尺度设计及计算 热度: 页数:90 母合金掺杂及补掺装置 热度: 页数:5 CZ单晶硅生产中吊肩后掺硼磷母 2021年11月29日 — 常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻 率为p 1,对应的杂质浓度 Ch,若在硅中投入中间合 直拉单晶硅的制备掺杂2011年6月3日 — 多晶硅可作拉制 单晶硅 的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 例如，在力学性质、光学性质和热学性质的 各向异性 方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的 导电性 也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。 。在化学活性方面，两者的差异极多晶硅 百度百科（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对硅的比例来看一般是很小 直拉单晶硅的制备 掺杂 百度文库
什么是多晶硅溅射靶材 靶材合金靶材溅射靶材北京瑞弛
2022年4月20日 — 铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界 P 型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在 0025% 左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议，电阻率最优值为 002 ~005 Ω?cm，对应硼的浓度约为例题2：装入60kg高纯多晶硅，拉制成8～12 Ω cm 的掺磷单晶硅，需要掺入 6×103Ω cm 的母合金多少克? 解：以头部为11 Ω cm 计算掺杂较有保证，可查表得对应的目标浓度为 4×1014 ，查母合金6×103Ω cm对应的浓度为 C合金=11×1019 W=60000g 4×1014 拉晶教程 百度文库母合金是一种通过精炼，成分精确的用于铸造的合金材料，因此母合金也叫做铸造母合金。母合金之所以被称为“母合金”，是因为它作为铸造的母材，具有很强的遗传性质，也就是说，母合金的很多特性（如碳化物分布，晶 母合金（铸造用合金材料）百度百科2015年11月21日 — 常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻 率为ρ 1 ，对应的杂质浓度C H ，若在硅中投 直拉单晶硅的制备 掺杂 豆丁网
直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
（2）母合金掺杂是将掺杂元素与硅先做成母合金（例如，硅锑合金、硅硼合金），根据母合金含的杂质量相应的加入母合金量。 （3）中子辐照掺杂（NTD）按上述两种掺杂方式掺杂，由于杂质分凝、蒸发、温度分布等因素的影响使得杂质均匀性很难作好，尤其是高阻材料更 使用 N 型母合金的主要是掺杂时发现低阻了，为了能够让产品电阻率达到使用要求,添加一些 N 型 母 合金。从原则上说,这是一种违规操作,硅棒尾部将会出现反翘,尾部电阻会比头部高 ຫໍສະໝຸດ Baidu下面我打个简单的比方： 其实配母合金的原理很 母合金的计算方法百度文库2022年2月16日 — 1本发明涉及溅射硅靶材制备技术领域，具体而言，尤其涉及一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法。背景技术： 2多晶硅靶材作为一种关键的溅射镀膜材料，在光学、电子等领域应用广泛，目前多晶硅靶材从电阻率上分类主要有高电阻率(电阻率》05ω cm)靶材与低电阻率靶材(电阻率《0002ω cm)。一种溅射靶材用硅硼母合金及其制备方法 X技术网2010年12月8日 — 掺杂的原理硼元 素守恒，硼元素仅来自于原料和母合金。 高温液化后，硼元素在热对流、机械搅拌等作用下 充分混合，并按照分凝原理进行分布。分凝原理固体硅单晶与液体硅单晶作为不同的介质 对硼原子的溶解度不同，其比值称为分凝系数K 光伏用单晶硅的掺杂方法 X技术网
N++重掺磷硅单晶的拉制工艺 索比光伏网
2015年5月20日 — 3、掺杂计算 4、实验工艺 （1）选用一台85型单晶炉拉制三炉，采用20“热场，每炉装80Kg太阳能一级原生多晶硅 料，抽空检漏，加热熔化。（2）理论计算值为6176g,考虑磷的蒸发分别按80g、75g、76g高纯赤磷装入石英掺杂器中。（3）将石英掺杂器 2014年5月23日 — 微电子工艺学MicroelectronicProcessing第四章掺杂原理与技术张道礼教授:zhangdaoli@163Voice:掺杂（doping）：将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并第四章 掺杂原理与技术 豆丁网2017年12月1日 — 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇中国光伏产业经历了风风雨雨几十年，无论是技术，还是成本都经历了翻天覆地的变化，随着市场对于高效率太阳能电池的需求，多晶硅铸锭工艺也在一丁一点的发生着变化，作为电池片原材料的源头，多晶硅铸锭所扮演 太阳能电池片科普系列——多晶硅铸锭篇北极星太阳能光伏网（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对硅的比例来看一般是很小 直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
直拉单晶硅的制备掺杂 豆丁网
2021年10月11日 — 常用的母合金 PSi、 BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻 率为p 1,对2024年4月4日 — 电阻率和掺杂浓度 对于一元掺杂来说，电阻率和掺杂浓度是一一对应的关系。可以简单的根据掺杂浓度来计算电阻率，也可以根据电阻率来反推掺杂浓度。这种对应关系可以直接查找国标中的表格，图形，或者用国标中的经验公式计算。锑Sb掺杂系列篇单晶硅电阻率控制原理 知乎2019年9月2日 — 掺杂计算理论与实践ppt,為什么拉單晶需要摻雜劑（母合金）﹖ 影响掺杂的几个因素 母合金掺杂的计算方法 电阻率P的单晶，它的头部对应的的杂质浓度为C头，多晶硅原料的重量为W，母合金的杂质浓度为C母，应掺母合金重量为M M =W*C头/（K*C 掺杂计算理论与实践ppt全文可读2020年12月13日 — 抑制掺杂物扩散很重要，特别是防止P型金属氧化物半导体多晶硅栅中的硼原子扩散到N型多晶硅栅中，否则可能会改变晶体管的特性，因此引进了扩散阻挡离子注入，而且高剂量的氮注入多晶硅后将捕捉硼原子并防止它们扩散形成很深半导体行业（九十二）——离子注入（十二）多晶硅
直拉单晶硅的制备 掺杂 豆丁网
2017年7月8日 — （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入 中间合金，比如硅硼合金的电阻率为ρ 1，对应的杂质浓度CH，若在硅中 投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对硅的2018年11月19日 — 1晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。 Axel Herguth提出了“再生态”理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅 一文看懂单、多晶电池光衰原理索比光伏网《直拉单晶硅工艺技术（第二版）》是2017年8月化学工业出版社出版的图书，作者是郭宇。本书主要内容包括单晶炉的基本知识、直拉单晶炉、直拉单晶炉的热系统及热场、晶体生长控制器、原辅材料的准备、直拉单晶硅生长技术、铸锭多晶硅工艺、掺杂技术等内容。直拉单晶硅工艺技术（第二版） 百度百科2023年9月26日 — 本文研究了SiM(M=C,Ge,Sn,Pb;x=0,1,2,3,4)掺杂体系在不同掺杂类型和浓度下晶格常数、稳定性和电子结构性能的变化通过第一性原理计算确定了IVA族元素的掺杂对单晶硅材料性能的影响。结果表明，Ge、Sn、Pb掺杂体系会产生膨胀效应，其中C掺杂 IVA族元素掺杂的单晶硅材料：第一性原理分析 XMOL科学
多晶硅母合金掺杂原理
掺杂原理介绍 知乎 2023年10月26日 掺杂原理介绍 Tom聊芯片智造 杂质的掺杂是芯片制造中十分重要的一步，几乎所有的集成电路，LED，功率器件等都需要用到掺杂。 那么为什么要掺杂？ 有哪 （1）元素掺杂 即直接将纯杂质元素加入硅中。它适于制备电阻 率102~103Ωcm的重掺杂硅单晶2021年6月18日 — 本发明涉及单晶炉技术领域，特别是涉及一种掺杂装置、母合金制备装置及方法。背景技术随着新能源技术的迅速发展，光伏电池的研发越来越受到人们的重视。硅棒是光伏电池中的重要组成部分。目前在 一种掺杂装置、母合金制备装置及方法与流程2022年3月7日 — 12、合金。（2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻率为1，对应的杂质浓度CH，若在硅中投入中间合金重为W1，因中间合金中的杂质含量相对 直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc一种P型硅母合金的制作方法技术领域本发明属于光伏电池技术领域，特别是涉及一种P型硅母合金的制作方法。背景技术光伏行业中的母合金是指化学元素周期表第三主族或第五主族元素与硅的合金，主要有硼硅合金和磷硅合金。母合金的作用是对多晶硅料进行掺杂，从而改变硅中施主杂质(如磷)或 一种P型硅母合金的制作方法与流程 X技术网
铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究
目前，对于冶金法提纯多晶硅的研究较多，但是对多晶硅铸锭中有意掺杂施主或受主杂质，掺杂元素补偿效应对电学性能影响的研究很少。 因此，本文从掺杂AlB母合金和PAs硅锭两条主线出发，从原子密度角度研究了施主和受主杂质补偿后对多晶硅铸锭导电类型、电阻率和少子寿命等电学性能的影响 2022年11月25日 — 本发明属于太阳能光伏材料技术领域，具体公开了一种掺磷硅母合金的制备方法。采用双温区水平炉，以磷化锌作为掺杂剂。在双温区水平炉内装有密封的石英水平安瓿。石英水平安瓿高温段装有石墨舟，石墨舟内放置多晶硅材料，低温段装有石英坩埚，石英坩埚内放置磷化锌。CNA 掺磷硅母合金的制备方法 Google Patents摘要： 多晶硅是光伏产业和电子工业的重要基础材料,其电学性能的好坏直接影响使用效率在实际应用中,多晶硅材料除了纯度要求外,对电阻率和少子寿命等电学性能的调控也非常重要,而电学性能的好坏与多晶硅中杂质元素的含量分布密切关联冶金法制备的多晶硅材料往往同时含有不同浓度的受主 铸造多晶硅的稳定掺杂及电性能研究 百度学术杂量。常用的母合金 PSi、BSi、GeSb、GeGa 等合金。 （2）采用中间合金（母合金）掺杂时对母合金重量的计算 ①拉制 P 型硅或锗单晶时掺入母合金质量的计算：若掺入方式是掺入中间合金，比如硅硼合金的电阻直拉单晶硅的制备掺杂 百度文库
直拉单晶硅的制备掺杂 renrendoc
2021年12月24日 — 常用的母合金PSi、BSi、GeSb、GeGa等合金。2采用中间合金母合金掺杂时对母合金重量的计算拉制P型硅或错单晶时掺入母合金质量的计算：假设掺入方式是掺入中间合金，比方硅硼合金的电阻率为p 1,对应的杂质浓度CH,假设在硅中投入中间合金重 2012年8月1日 — 技术领域本实用新型涉及一种母合金掺杂及补掺装置，属于太阳能硅单晶掺杂技术技术领域。背景技术现有的拉晶常用掺杂方法是在装料过程中母合金与多晶硅一起放入坩埚内。现有的拉晶常用补掺方法是用籽晶做一个凹形的“小伞”，把母合金放入“小伞”内掺入硅熔体中。现有掺杂方法由于是与 母合金掺杂及补掺装置的制作方法
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